特許
J-GLOBAL ID：200903087290502385
半導体不揮発性記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-123932
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321193
出願日： 1995年05月23日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：
【要約】【目的】高速にかつ安定してデータ書き込みが行える半導体不揮発性記憶装置を実現する。【構成】選択されたワード線W1〜WMに接続されたメモリセルアレイ1内の複数のメモリセルに対して同時並列的にデータの書き込みを行う半導体不揮発性記憶装置において、選択されたワード線に接続された「1」データを書き込むべきメモリセルのビット数が所定の一定数となるように分割書き込みを行う回路2〜8を設ける。
請求項（抜粋）：
選択されたワード線に接続された複数のメモリセルに対して同時並列的に互いに逆相の第1のデータまたは第2のデータの書き込みを行う半導体不揮発性記憶装置であって、上記選択されたワード線に接続された上記第1のデータまたは第2のデータのどちらか一方のデータを書き込むべきメモリセルのビット数が所定の一定数となるように書き込みを行うデータ書き込み手段を有する半導体不揮発性記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 510 F
, G11C 17/00 309 F
