特許
J-GLOBAL ID：200903087297601346
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 藤綱 英吉
, 須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-193513
公開番号（公開出願番号）：特開2005-224933
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：
【課題】 微小可動構造体と半導体基板との浮遊容量を少なくし、半導体基板上に形成された微小可動構造体の可動部分の動作に起因する静電容量の可動成分の割合を大きくすることにより、微小可動構造体の駆動電圧の低電圧化を図った微小可動構造体を有する半導体装置を提供することにある。【解決手段】 半導体装置の微小可動構造体100は、シリコン基板などで構成される半導体基板101の上に酸化シリコンなどで構成される絶縁膜102が形成され、その上に、ポリシリコンなどで第1電極層110及び第2電極層120が形成されている。ここで、絶縁膜102は半導体基板101と第1電極層110及び第2電極層120とを電気的に絶縁するためのものである。半導体基板101と微小可動構造体100の接合する領域の半導体基板101の裏面は、絶縁膜102まで刳り抜かれ、凹部107が形成されている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
静電力によって振動する振動部と電極を有する振動体と、
絶縁膜と、
半導体基板とを備える半導体装置であって、
前記振動体と前記半導体基板が接合する領域の前記半導体基板裏面の少なくとも一部が
刳り抜かれ、刳り抜かれた部分の前記振動体と前記半導体基板の接合する領域が前記絶縁
膜のみからなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
B81B3/00
, H02N1/00
, H03H9/24
B81B3/00
, H02N1/00
, H03H9/24 Z
