特許

J-GLOBAL ID：200903087298789578

半導体レーザ装置

発明者： 内藤 浩樹 ,  粂 雅博 ,  太田 一成 ,  清水 裕一
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-321679
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160503
出願日： 1991年12月05日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 光ディスク等の光源として用いる半導体レーザ装置の低雑音化および低動作電流化を実現する。【構成】 Ga1-XAlXAs層からなる活性層4の上面および下面の少なくとも一方の側にリッジ5aを有するGa1-YAlYAsからなる一導電型の第2のクラッド層5を備えるとともに、リッジ5aの長手方向の側面に沿ってGa1-ZAlZAsからなる逆導電型の電流ブロック層6を備え、かつAlAs混晶比を決めるX、YおよびZがZ>Y>X≧0である。

請求項（抜粋）：

活性層となるGa1-XAlXAs層の上面および下面の少なくとも一方の側にリッジを有する一導電型のGa1-YAlYAs層を備えるとともに、前記リッジの長手方向の側面に沿って逆導電型のGa1-ZAlZAs層を備えてなり、かつAlAs混晶比を決めるX、YおよびZがZ>Y>X≧0である半導体レ-ザ装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-208292
  
• 特開昭63-265485
  
• 特開平1-151284