特許
J-GLOBAL ID：200903087301626561
固体撮像装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-341650
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186310
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】【課題】CCD固体撮像装置のフォトダイオードの接合容量を、基板シャッタ電圧の上昇を伴なうことなく大きくすること。【解決手段】フォトダイオードのN型拡散層13を区画するP+ 型素子分離層18を、素子分離を行なうの必要な深さより深くまで形成する。
請求項（抜粋）：
複数のフォトダイオードと、該フォトダイオードからの電荷を受け取って転送する垂直CCDレジスタと、該垂直CCDレジスタからの電荷を受け取って転送する水平CCDレジスタと、該水平CCDレジスタからの電荷を検出する電荷検出部と、出力増幅器とからなる固体撮像装置において、前記フォトダイオードが第1導電型半導体基板表面部の第2導電型領域の表面部に選択的に形成され、前記第2導電型領域より不純物濃度の高い第2導電型素子分離層に接触して区画された第1導電型拡散層を有し、前記第2導電型素子分離層の深さを表面に反転層が形成されるのを防止して素子分離を行なうのに必要な値より大きくすることによって前記フォトダイオードの接合容量を大きくしたことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (3件)：
H01L 27/148
, H01L 31/10
, H04N 5/335
H01L 27/14 B
, H04N 5/335 U
, H01L 31/10 A
