特許
J-GLOBAL ID：200903087302614516
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-287770
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140668
出願日： 1992年10月26日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 アクセプタ不純物を含有するp型基板を用いた半導体装置に関し、p型層から低不純物濃度活性層へのアクセプタ不純物拡散を抑制できる構造の半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 アクセプタ不純物を含有するIII-V族化合物のp型半導体層と、前記p型半導体層上に形成され、アクセプタ不純物の捕獲作用を有するIII-V族化合物半導体層と、前記捕獲作用を有するIII-V族化合物半導体層の上に形成され、低不純物濃度のIII-V族化合物半導体活性層とを含む。
請求項（抜粋）：
アクセプタ不純物を含有するIII-V族化合物のp型半導体層と、前記p型半導体層上に形成され、アクセプタ不純物の捕獲作用を有するIII-V族化合物半導体層と、前記捕獲作用を有するIII-V族化合物半導体層の上に形成され、低不純物濃度のIII-V族化合物半導体活性層とを含む半導体装置。
IPC (2件)：
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