特許
J-GLOBAL ID：200903087308243943
半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-153184
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018157
出願日： 1994年07月05日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】 漏れ電流が流れないことによって高出力特性に優れるとともに、良好な信頼性を有する半導体レーザを得る。【構成】 活性層の両脇に、基板と格子整合する弗化物からなる絶縁体薄膜を形成し、さらにその表面に半導体を積層することによって漏れ電流が流れず、結晶欠陥の発生しにくい構造とする。弗化物を、選択成長もしくはエッチングによって周期的に形成された(111)面上に形成すれば、さらに良好な結晶性が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にストライプ状に形成された電流注入領域に、少なくとも半導体活性層を含む多層構造が形成され、前記多層構造の両側の領域にカルシウム、バリウム、及びストロンチウムの少なくとも一つを含む弗化物よりなる絶縁体層が形成され、前記絶縁体層の上部に半導体層が形成されていることを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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