特許
J-GLOBAL ID：200903087308346343
半導体基板の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-252248
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077311
出願日： 1992年08月27日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】2枚のシリコン基板(ウェーハ)を酸化膜を介して一体化し、外周を面取りを含む研削加工をした接着基板を形成し、素子領域側の基板に前記酸化膜に達する溝を掘り、該溝に囲まれたシリコン島を形成する誘電体分離基板の従来の製造方法では、前記溝を多結晶シリコンで埋め込み、主表面を研磨して平坦化した後、ペレット工程に投入していた。そのため工程中、基板外周に回り込んだ多結晶シリコンにより、基板の欠け、割れ等を誘発し、工程汚染を引き起こし課題となっていた。【構成】本発明の製造方法は、多結晶シリコンで溝を埋め込んだ後、接着基板の主表面のみを研磨加工するだけでなく、外周部に回り込んだ多結晶シリコンを研削除去し、外周形状を整ったベベル面に再加工する整形工程を付加することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1のシリコン基板とこれを保持し台となる第2のシリコン基板とを絶縁膜を介して一体化する工程と、この一体化された接着半導体基板の周辺部を面取りを含む研削加工する工程と、前記接着半導体基板の第1シリコン基板表面から前記絶縁膜に達する溝を掘り、該溝で囲まれたシリコン島を形成する工程と、このシリコン島の表面を絶縁膜で覆う工程と、第1シリコン基板上に多結晶シリコンを堆積し前記溝を埋め込む工程と、この多結晶シリコンを第1シリコン基板表面が露出するまで研磨して、前記接着半導体基板の第1シリコン基板側の主表面を平坦化する工程と、前記多結晶シリコンで溝を埋め込んだ後に、前記接着半導体基板の外周を整形加工する工程とを含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/76
, H01L 21/02
, H01L 27/12
