特許

J-GLOBAL ID：200903087312678245

ポリイミド前駆体組成物とその製法並びに該前駆体を用いた電子装置

発明者： 横倉 久男 ,  中田 忠夫 ,  近藤 克己 ,  大原 周一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-069732
公開番号（公開出願番号）：特開平6-240137
出願日： 1991年04月02日
公開日（公表日）： 1994年08月30日
要約：

【要約】【目的】エージング処理による特性の変化が少ない、電子装置の絶縁膜、バッファコート膜の提供。【構成】ポリイミド前駆体と、中心骨格をなす原子団にメソーゲン基を有する液晶性化合物とを反応させたポリイミド前駆体組成物の硬化物を絶縁層に用いた電子装置。【効果】液晶表示装置においては点状スキャッタリングドメイン、輝度ムラの発生が抑制され、また、半導体装置等においては配線層のストレスマイグレーションの発生が抑制される。

請求項（抜粋）：

ポリイミド前駆体と、該ポリイミド前駆体を構成するテトラカルボン酸残基もしくはジアミン残基の1モルに対して、液晶性化合物をその中心骨格をなす原子団のメソーゲン基で5〜30モル配合したことを特徴とするポリイミド前駆体組成物。

IPC (3件)：

C08L 79/08 LRB ,  G02F 1/1337 525 ,  H01L 21/90