半導体光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-070446
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260776
出願日： 1996年03月26日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】半導体光素子において、量子井戸活性層へのP型ドーパントの拡散の抑制は、例えばP型InPクラッド層と量子井戸活性層の間にアンドープInP層を挿入することによって行われていたが、アンドープInP層では十分にP型ドーパントの拡散を抑制できないという問題があった。【解決手段】 P型クラッド層2と活性層3の間に、活性層3へのP型ドーパントの拡散を抑制するためのN型の拡散ストッパ層13を設けたので、結晶成長中ないしはプロセス中に、P型クラッド層からP型ドーパントが活性層に拡散してくるのを抑制でき、レーザー部においてしきい値電流の低減および発光効率の向上がより確実に実現できる。

請求項（抜粋）：

P型クラッド層と活性層の間に、上記活性層へのP型ドーパントの拡散を抑制するためのN型の拡散ストッパ層を設けたことを特徴とする半導体光素子。

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