特許

J-GLOBAL ID：200903087321171358

化学気相成長装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 斉藤 政良 ,  工藤 豊 ,  本間 喜夫 ,  新井 寿裕 ,  長崎 恵一 ,  佐藤 栄治 ,  蜂谷 昌幸 ,  鈴木 新平 ,  飯島 晋平 ,  中西 成彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-109857
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306676
出願日： 1995年05月09日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】化学気相成長反応の際に、下地依存性がなく、流動性の高品質の酸化シリコン膜を形成できる半導体装置の製造方法。【構成】シリコンアルコキシドを原料とし、高オゾン条件下で、化学気相成長法により、10Torrから100Torrの範囲の圧力で、第1の酸化シリコン膜302を形成し、次ぎに、500Torrから1.5気圧の範囲の圧力で第2の酸化シリコン膜303を形成する半導体装置の製造方法。予め第3の酸化シリコン膜307をプラズマ化学気相成長法により形成してから、上記の反応を行なってもよい。

請求項（抜粋）：

化学気相成長反応を行なうための反応室、反応室の内部を、第1の所望の圧力と、これと異なる第2の所望の圧力とに保持するための圧力調整手段、基板を保持するための保持手段、基板を加熱するための加熱手段及びシリコンアルコキシドとオゾンを上記反応室に導入するための導入手段を有することを特徴とする化学気相成長装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/31 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 X