特許

J-GLOBAL ID：200903087326441566

化合物半導体レーザ素子およびその光出力端面の劣化防止方法

発明者： 高森 毅 ,  上條 健
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-175039
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022569
出願日： 1996年07月04日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 歩留の高い方法で、光出力端面の自然酸化膜を除去し、さらに自然酸化膜の再形成を防ぐことができるような化合物半導体レーザ素子。【解決手段】 III-V族化合物からなる層を有する化合物半導体レーザ素子において、 この素子の光出力端面29a、29bは、 その光出力端面に対して強制酸化を行うことにより形成した、III族元素の酸化物からなる強制酸化層30a、30bを具えている。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物からなる層を有する化合物半導体レーザ素子において、前記素子の光出力端面は、該光出力端面に対して強制酸化を行うことにより形成した、III 族元素の酸化物からなる強制酸化層を具えていることを特徴とする化合物半導体レーザ素子。