特許
J-GLOBAL ID：200903087328126374
半導体レーザーの作製方法及びチップ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-245850
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111563
出願日： 1994年10月12日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：
【要約】【目的】 劈開によりミラーを形成して半導体レーザーを作製するに当り、取扱いの容易さと、良好な再現性を実現すること。【構成】 半導体レーザーのミラー形成部近傍に基板1表面よりエッチングすることにより半導体レーザー素子部2毎に劈開の開始点4を形成し、劈開の開始点4近傍の基板1を基板裏面より溝3,3Aを形成して部分的に薄くし、基板1と一体で半導体レーザー素子部2を劈開する。これにより、再現性良くミラーを形成でき、半導体レーザー素子毎に分離することもできる。更に基板裏面から溝3,3Aを形成したことによりチップ全体を薄片化する必要がないため、大型の基板にも適用可能である。
請求項（抜粋）：
劈開により共振器の端面にミラーを形成して半導体レーザーを作製する方法において、基板表面からエッチングを行うことによりミラー形成部近傍に半導体レーザー素子部毎に劈開の開始点を形成し、劈開の開始点近傍の基板を、基板裏面から溝を形成することにより、他部に比べて薄くし、基板及び半導体レーザー素子部を劈開することによりミラーを形成することを特徴とする半導体レーザーの作製方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/306
, H01L 33/00
