特許

J-GLOBAL ID：200903087331930540

導波路型受光素子

発明者： 西片 一昭
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-240882
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093128
出願日： 1996年09月12日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】 位置ずれトレランスが大きく、かつ、結晶成長時間を短縮することできる導波路型受光素子を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に、少なくとも第1光閉じ込め層2、光吸収層3、第2光閉じ込め層4を順次積層してなる導波路型受光素子において、第1光閉じ込め層2の厚さを1μm以下、0.05μm以上とし、第2光閉じ込め層4の厚さを1μm以上とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、少なくとも第1光閉じ込め層、光吸収層、第2光閉じ込め層を順次積層してなる導波路型受光素子において、第1光閉じ込め層の厚さは1μm以下、0.05μm以上であり、第2光閉じ込め層の厚さは1μm以上であることを特徴とする導波路型受光素子。