特許

J-GLOBAL ID：200903087333207480

ホトマスク及びこれを用いたパターン形成方法

発明者： 神保 秀之 ,  河津 佳幸 ,  山下 吉雄
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-014147
公開番号（公開出願番号）：特開平5-204131
出願日： 1992年01月29日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】 シフタのエッジがホトマスクの光透過領域上に在る場合このエッジラインで生じる位相シフト効果でレジスに不要パターンが生じる。この不要パターンの発生を簡易に防止できるホトマスク及びパターン形成方法を提供する。【構成】 ホトマスク形成用基板37の1回の露光領域39を2分割した一方の領域39aにシフタパターン33を設け、他方の領域39bに該シフタパターンを介し露光したのみではレジストに形成される不要パターンの発生を防止するための露光用の第2のパターン35を設ける。ホトマスク31を介しレジストを露光しレジストにシフタパターン、第2のパターンの潜像を形成する。第2のパターンの潜像にシフタパターン33が重なるようにウエハを移動しその後ホトマスク31を介しこのレジストを露光してシフタパターン及び第2のパターンを重ねた潜像と新たな第2のパターンの潜像とを形成する。これら工程を繰り返す。

請求項（抜粋）：

位相シフト法に用いられるホトマスクにおいて、位相シフト法用のシフタパターンと、該シフタパターンを介し露光したのみではレジストに形成される不要パターンの発生を防止するための露光用の第2のパターンとを、1枚のホトマスク形成用基板上に共に設けてあることを特徴とするホトマスク。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 301 G