半導体薄膜の選択成長方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-250360
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092621
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】成膜材料ガスとともに、適量のエッチングガスを加えて必要な膜厚を的確に選択成長すること。【構成】化学的気相成長方法により、絶縁膜でパターニングされたシリコン基板にSi-Ge薄膜を選択成長させるに当り、臨界選択成長膜厚以上の膜厚を得るために、成膜材料ガスとしてのシランとゲルマンガスを断続的に基板に供給するとともに、エッチングガスとしての塩酸ガスを連続して供給する。

請求項（抜粋）：

化学的気相成長方法により、絶縁膜でパターニングされたシリコン基板に選択成長させ、臨界選択成長膜厚以上の膜厚の半導体薄膜の選択成長方法において、成膜材料ガスを断続的に基板に供給するとともに、ハロゲン系ガスを連続して供給することを特徴とする半導体薄膜の選択成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/302 B

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