特許
J-GLOBAL ID:200903087333578895
測定チップおよびその作製方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
柳田 征史 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-299569
公開番号(公開出願番号):特開2003-106992
出願日: 2001年09月28日
公開日(公表日): 2003年04月09日
要約:
【要約】【課題】 表面プラズモン共鳴測定装置等の、全反射減衰を利用した測定装置に用いられる測定チップにおいて、測定用光ビームの入射面および出射面の光通過領域の光学特性を優れたものにする。【解決手段】 測定チップを構成する誘電体ブロック11を、光ビームの入射面11b、出射面11cおよび薄膜層が形成される一面の全てを含み、かつ前記一面と平行な断面の形状が多角形である1つのブロックとして樹脂から形成する際に、該誘電体ブロック11を、前記多角形の中心Oを挟んで相対向する2つの頂角の外方に互いの合わせ面Hが位置する2つ割の型84a、84bを用いて射出成形する。
請求項(抜粋):
誘電体ブロックと、この誘電体ブロックの一面に形成されて試料に接触させられる薄膜層と、光ビームを発生させる光源と、前記光ビームを前記誘電体ブロックに対して、該誘電体ブロックと前記薄膜層との界面で全反射条件となり、かつ、種々の入射角成分を含むようにして入射させる光学系と、前記界面で全反射した光ビームの強度を測定して全反射減衰の状態を検出する光検出手段とを備えてなる、全反射減衰を利用した測定装置に用いられる測定チップであって、前記誘電体ブロックが、前記光ビームの入射面、出射面および前記薄膜層が形成される一面の全てを含み、かつ前記一面と平行な断面の形状が多角形である1つのブロックとして樹脂から形成され、この誘電体ブロックに前記薄膜層が一体化されてなる測定チップの作製方法において、前記誘電体ブロックを、前記多角形の中心を挟んで相対向する2つの頂角の外方に互いの合わせ面が位置する2つ割の型を用いて射出成形することを特徴とする測定チップの作製方法。
IPC (5件):
G01N 21/03
, G01N 21/01
, G01N 21/13
, G01N 21/27
, G01N 35/04
FI (5件):
G01N 21/03 Z
, G01N 21/01 B
, G01N 21/13
, G01N 21/27 C
, G01N 35/04 A
Fターム (30件):
2G057AA02
, 2G057AB04
, 2G057AB07
, 2G057AC01
, 2G057BA01
, 2G057BB06
, 2G057BB08
, 2G057HA04
, 2G058AA02
, 2G058CD04
, 2G058CF12
, 2G058GA02
, 2G059AA01
, 2G059BB04
, 2G059BB12
, 2G059CC16
, 2G059DD12
, 2G059DD13
, 2G059EE02
, 2G059EE05
, 2G059GG01
, 2G059GG04
, 2G059JJ11
, 2G059JJ17
, 2G059JJ19
, 2G059JJ20
, 2G059KK01
, 2G059KK04
, 2G059MM03
, 2G059PP04
引用特許:
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