特許
J-GLOBAL ID：200903087336180779
超ファインエッチングリードフレームおよび半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田村 弘明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-110091
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321270
出願日： 1994年05月24日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体チップの高集積化に対応できる多ピン化リードフレームおよび該リードフレームを使用した高信頼性半導体装置を提供する。【構成】 重量%にて25〜40%、好ましくは29〜33重量%のCuを含み残部がFeおよび不可避的不純物からなるFe-Cu合金をエッチング加工してなる超ファインエッチングリードフレーム、および該リードフレームを使用した半導体装置。好ましくはインナリードピッチが200μm以下である。またCu系金属からなるヒートスプレッダーを有する。【効果】 エッチングファクターfが約3と従来材の50%も高く、このためインナリード本数300以上もの多ピン化が実現できる。またCu系ヒートスプレッダーを有する半導体装置は、放熱性が優れている。
請求項（抜粋）：
25重量%以上40重量%以下のCuを含み残部がFeおよび不可避的不純物からなるFe-Cu合金をエッチング加工してなる超ファインエッチングリードフレーム。
IPC (3件)：
H01L 23/50
, C22C 38/16
, H01L 23/48
