特許

J-GLOBAL ID：200903087344921389

光電変換装置及びその製造方法

発明者： 田 透 ,  大倉 央
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 西山 恵三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-268725
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093590
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 電子の授受がスムーズに行われ、光電変換効率の高い光電変換装置を提供する。【解決手段】 電子受容型の電荷輸送層と、電子供与型の電荷輸送層と、これらの電荷輸送層間に存在する光吸収層と、を少なくとも有する光電変換装置であって、前記電荷輸送層のいずれかが針状結晶の集合体からなる半導体針状結晶層であることを特徴とする光電変換装置及びその製造方法を提供する。

請求項（抜粋）：

電子受容型の電荷輸送層と、電子供与型の電荷輸送層と、これらの電荷輸送層間に存在する光吸収層と、を少なくとも有する光電変換装置であって、前記電荷輸送層のいずれかが針状結晶の集合体からなる半導体針状結晶層であることを特徴とする光電変換装置。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

Fターム (11件)：

5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051DA20 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB05 ,  5H032BB10 ,  5H032EE16 ,  5H032HH00 ,  5H032HH05