特許
J-GLOBAL ID：200903087348745291
MOS型イメージセンサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-210574
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049323
出願日： 1998年07月27日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：
【要約】【課題】リーク電流によるスミアの発生を防止できるMOS型イメージセンサを提供する。【解決手段】イメージセンサの画素を構成するフォトダイオードの電荷が増加した場合、フォトダイオードに直接接続され、読み出し手段の一部となっているスイッチよりもリセットスイッチの方にリーク電流が流れやすいように構成する。そのためにはリセットスイッチのオフ時の実効ゲート電圧を、他のMOSFETのオフ時の実効ゲート電圧よりも大きな値に設定する。これによりリセットスイッチを介してリセット電源にリーク電流が流れるので、回り込みによるスミアを防止できる。具体的にはリセットスイッチの閾値電圧を他のMOSFFTの閾値電圧よりも小さく設定する。このように閾値電圧を小さくするには、例えばゲート酸化膜を薄くしたり、閾値調整用のイオンを注入したりする方法がある。
請求項（抜粋）：
フォトダイオードからなる光電変換部と、上記光電変換部を所定電位にリセットするリセットスイッチと、上記光電変換部に蓄積している光電荷を読み出すための1つ以上のスイッチからなる読み出し手段と、を少なくとも有する画素を複数個備えたイメージセンサにおいて、上記リセットスイッチおよび上記読み出し手段を構成するスイッチのうち、少なくとも上記光電変換部に直接接続されたスイッチはMOSFETからできており、上記リセットスイッチとなる第1のMOSFETのオフ時にそのゲートに印加される実効ゲート電圧を、上記光電変換部に直接接続されて読み出し手段を構成しているスイッチとなる第2のMOSFETのオフ時にそのゲートに印加される実効ゲート電圧よりも大きな値にしたことを特徴とするMOS型イメージセンサ。
IPC (3件)：
H01L 27/146
, H01L 31/10
, H04N 5/335
H01L 27/14 A
, H04N 5/335 E
, H01L 31/10 G
4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118FA33
, 5C024AA01
, 5C024CA04
, 5C024FA01
, 5C024GA01
, 5C024GA31
, 5C024GA41
, 5F049MA02
, 5F049NA04
, 5F049NB05
, 5F049PA20
, 5F049QA03
, 5F049RA08
