特許

J-GLOBAL ID：200903087356526965

シミュレーション方法、シミュレータ及びシミュレーションプログラムを記録した記録媒体

発明者： 楠 直樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-112928
公開番号（公開出願番号）：特開2001-297955
出願日： 2000年04月14日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】一段目の熱処理時及び二段目の熱処理時におけるシリサイド反応を別々に扱うことのできるシミュレーション方法を提供する。【解決手段】熱処理中のシリサイド膜の組成変化に基づいてサリサイド工程を扱い、一段階目の熱処理時及び二段階目の熱処理時におけるシリサイド反応を別々にシミュレーションする

請求項（抜粋）：

金属とSiからなるシリサイド膜が、前記金属と前記Siに接しているかを判断する第1のステップと、前記シリサイド膜が前記金属と前記Siに接している場合、これらを熱する温度及び前記シリサイド膜の組成により、前記シリサイド膜中を拡散する元素を判断する第2のステップと、前記シリサイド膜中を拡散する元素がSiの場合、前記シリサイド膜中における前記Siの第1の拡散方程式および前記金属、前記シリサイド膜及び前記Siの形状移動量を求める方程式を用いて前記金属、前記シリサイド膜及び前記Siの位置関係を求める第3のステップと、前記シリサイド膜中を拡散する元素が金属の場合、前記シリサイド膜中における前記金属の第2の拡散方程式および前記金属、前記シリサイド膜及び前記Siの形状移動量を求める方程式を用いて前記金属、前記属化シリサイド膜及び前記Siの位置関係を求める第4のステップを有することを特徴とするシミュレーション方法。