特許
J-GLOBAL ID：200903087362749968
浸炭焼入方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
穂上 照忠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-133174
公開番号（公開出願番号）：特開平8-003629
出願日： 1994年06月15日
公開日（公表日）： 1996年01月09日
要約：
【要約】【目的】鋼の浸炭処理方法を提供する。【構成】C:0.05〜1.2 %、Si:0.05〜2%、Mn: 0.3〜3%、Cr: 0.1〜5%、Ni:0〜3%、Mo:0〜2%を含む鋼を、1000°C以上共晶点未満の温度域で、浸炭層表面部の炭素濃度分布の最大値の下限を0.8 %以上、かつ母材の炭素量を超える量、同じく上限をセメンタイトが析出する炭素量(Acm線)未満に増大させ、次いで10°C/sec以上の冷却速度で少なくとも浸炭層を500 °C以下まで冷却後Ac1点以上に再加熱して焼入し、表面部に直径1μm 以下のセメンタイト粒を体積比で10%以上析出させる鋼の浸炭処理方法。【効果】短時間の処理で表面に粒径が1μm 以下の微細セメンタイトを均一分散して析出させることができる。浸炭後の表面硬化層は靱性も良好である。
請求項（抜粋）：
重量%で、C:0.05〜1.2 %、Si:0.05〜2%、Mn: 0.3〜3%、Cr: 0.1〜5%、Ni:0〜3%およびMo:0〜2%を含む鋼を、1000°C以上、共晶点未満の温度域で、浸炭層表面部の炭素濃度分布の最大値の下限を0.8 %以上、かつ母材の炭素量を超える量、同じく上限をセメンタイトが析出する炭素量(Acm線)未満に増大させ、次いで10°C/sec以上の冷却速度で少なくとも浸炭層を500 °C以下まで冷却した後、Ac1点以上に再加熱して焼入することにより、表面部に直径1μm 以下のセメンタイト粒を体積比で10%以上析出させることを特徴とする鋼の浸炭処理方法。
IPC (4件)：
C21D 1/06
, C23C 8/22
, C22C 38/00 301
, C22C 38/44
