特許

J-GLOBAL ID：200903087370143220

ケイ素原子結合水素原子含有シリコーン樹脂の製造方法

発明者： 小林 秀樹 ,  西海 航
出願人/特許権者： 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-045164
公開番号（公開出願番号）：特開平7-228701
出願日： 1994年02月18日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ケイ素原子結合水素原子を含有するMQ型およびMDQ型シリコーン樹脂の新しい製造方法の提供。【構成】 (A)(a)(R<SB>3</SB>SiO<SB>1/2</SB>)<SB>a</SB>(SiO<SB>4/2</SB>)(Rは炭化水素基であり、aは0.2〜3。)で表されるシリコーン樹脂を有機溶媒中に溶解し、酸性触媒の存在下に脱水縮合反応させ、(B)しかる後に、(b)平均単位式(RHSiO<SB>2/2</SB>)<SB>c</SB>(R<SB>2</SB>SiO<SB>2/2</SB>)<SB>d</SB>(cは1〜100、dは0〜100。)で表されるジオルガノポリシロキサン、または(d)平均単位式(R<SB>2</SB>HSi)<SB>2</SB>Oで表されるテトラオルガノジシロキサンを加えて再平衡化反応させる、(c)(R<SB>3</SB>SiO<SB>1/2</SB>)<SB>a</SB>(RHSiO<SB>2/2</SB>)<SB>y</SB>(R<SB>2</SB>SiO<SB>2/2</SB>)<SB>z</SB>(SiO<SB>4/2</SB>)(0<y≦2、zは0〜2。)または(e)(R<SB>3</SB>SiO<SB>1/2</SB>)<SB>a</SB>(R<SB>2</SB>HSiO<SB>1/2</SB>)<SB>y</SB>(SiO<SB>4/2</SB>)で表されるケイ素原子結合水素原子含有シリコーン樹脂の製造方法。

請求項（抜粋）：

(A)(a)平均単位式(R3SiO1/2)a(SiO4/2)(式中、Rは炭素原子数が1個以上の置換または非置換の1価炭化水素基であり、aは0.2〜3の数である。)で表されるシリコーン樹脂を有機溶媒中に溶解し、酸性触媒の存在下に脱水縮合反応させ、(B)しかる後に、(b)平均単位式(RHSiO2/2)c(R2SiO2/2)d(式中、Rは前記と同じであり、cは1〜100の数であり、dは0〜100の数である。)で表されるジオルガノポリシロキサンを加えて再平衡化反応させることを特徴とする、(c)平均単位式(R3SiO1/2)a(RHSiO2/2)y(R2SiO2/2)z(SiO4/2)(式中、Rおよびaは前記と同じであり、yは0より大きく2以下の数であり、zは0〜2の数である。)で表されるケイ素原子結合水素原子含有シリコーン樹脂の製造方法。