特許

J-GLOBAL ID：200903087372227056

半導体レーザ

発明者： 菅原 充
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-187920
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031861
出願日： 1997年07月14日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザに関し、半導体レーザの活性層に適用した場合、室温でしきい値電流を低くするのに最適な大きさをもつ半導体量子ドットを実現させ、また、それを再現性良く得られるようにする為の指針を与えようとする。【解決手段】半導体量子ドットを含む活性層を備え、ドット中に形成された量子準位の基底状態のエネルギ:E1 、励起状態のエネルギ:E2 、量子ドットを囲む障壁層のエネルギ:Ebarrier 、半導体レーザの動作温度に於ける熱エネルギ:kT(k:ボルツマン定数、T:温度)であるとしたとき、それぞれのエネルギがEbarrier -E1 >8kT及びE2 -E1 >4kTの関係を満たしている。

請求項（抜粋）：

半導体量子ドットを含む活性層を備え、ドット中に形成された量子準位の基底状態のエネルギ:E1励起状態のエネルギ:E2量子ドットを囲む障壁層のエネルギ:Ebarrier半導体レーザの動作温度に於ける熱エネルギ:kTk:ボルツマン定数T:温度であるとしたとき、それぞれのエネルギがEbarrier -E1 >8kTE2 -E1 >4kTの関係を満たすことを特徴とする半導体レーザ。