特許
J-GLOBAL ID:200903087372719820

ウェーハテスト方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高田 守 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-030932
公開番号(公開出願番号):特開平11-233581
出願日: 1998年02月13日
公開日(公表日): 1999年08月27日
要約:
【要約】【課題】 半導体ウェーハにおける未テストチップの統計的予測結果による良否判定精度を向上し、保証信頼度の高いウェ-ハテスト方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェーハの未テストチップに隣接する複数のサンプルチップが未テストチップの1個または複数個を包囲するように配置を規定してサンプルチップのテストを実施する。このサンプルテスト結果と、既に蓄積されている不良チップ発生位置のアドレス情報を含む不良発生分布の統計デ-タに基づいた未テストチップの統計的予測良否結果を用いて、未テストチップの良否判定を行う。これにより不良チップがウェ-ハ上の特定部分に集中的に偏在する場合でも高精度判定が可能である。
請求項(抜粋):
ウェーハ上のテスト有効領域内に存在するサンプルテスト用サンプルチップ群と上記サンプルテスト実施後に良否判定する判定対象チップ群とに関する上記ウェーハ段階におけるテストにおいて、(a)上記チップ毎に上記ウェーハ上の存在位置を示すアドレスを付与し、上記テスト有効領域内で発生した不良チップのアドレス情報を含む不良発生分布の統計データに基づいて、上記サンプルチップと上記判定対象チップを隣接または近接するようにチップ配置を規定するチップ配置規則と、(b )上記サンプルチップに実施する上記サンプルテストの手順を規定するサンプルテスト規則と、(c)上記統計データと上記サンプルチップのテスト良否結果とから統計的に予測される上記判定対象チップの予測良否結果に基づいて規定する上記判定対象チップの良否判定規則と、を含んで構成されるテストアルゴリズムを用いてウェーハテストをすることを特徴とするウェーハテスト方法。
IPC (2件):
H01L 21/66 ,  G11C 29/00 655
FI (2件):
H01L 21/66 Z ,  G11C 29/00 655 Z

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