特許

J-GLOBAL ID：200903087373267116

膜層状態測定方法、膜層状態測定装置、研磨装置及び半導体デバイスの製造方法

発明者： 瀧口 健二 ,  上田 武彦
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 細江 利昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-368120
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168666
出願日： 2001年12月03日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：

【要約】【課題】 半導体製造工程をはじめとする種々の工程中において、膜層状態を測定する方法を提供する。【解決手段】 その一部に干渉・回折効果による反射防止作用を持つ薄膜を有する多層膜を研磨する場合、研磨面が当該薄膜に近づく前は、研磨が進行しても反射率の変動はわずかである。しかし、研磨面が当該薄膜に近づくと反射率は大きく変動し始め、ある点で極大に達し、続いて極小値に達する。この反射率が大きく変動し始めてからの反射率と膜厚の間には良い相関関係があるので、反射率を測定することにより膜厚の測定や研磨終了点の測定を行うことができる。

請求項（抜粋）：

膜層構造を有する多層膜であって、その一部に干渉・回折効果による反射防止作用を持つ薄膜を有する多層膜の膜層状態を、当該多層膜の研磨工程中に測定する方法であって、当該多層膜に光を照射し、そこから反射してくる反射光又は透過してくる透過光を経時的に測定し、当該反射光又は透過光の強度が予め定めてある所定範囲から外れてから後の前記反射光又は透過光強度により、膜層状態を測定することを特徴とする膜層状態測定方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/04 ,  B24B 49/12 ,  G01B 11/06

FI (4件)：

H01L 21/304 622 S ,  B24B 37/04 K ,  B24B 49/12 ,  G01B 11/06 Z

Fターム (37件)：

2F065AA30 ,  2F065BB02 ,  2F065BB03 ,  2F065BB17 ,  2F065BB22 ,  2F065CC19 ,  2F065CC31 ,  2F065DD03 ,  2F065FF41 ,  2F065FF46 ,  2F065FF51 ,  2F065GG02 ,  2F065GG03 ,  2F065GG07 ,  2F065HH03 ,  2F065JJ02 ,  2F065JJ25 ,  2F065LL12 ,  2F065LL30 ,  2F065LL42 ,  2F065LL46 ,  2F065QQ14 ,  2F065QQ29 ,  2F065QQ42 ,  2F065TT06 ,  2F065UU05 ,  2F065UU07 ,  3C034AA19 ,  3C034BB93 ,  3C034CA05 ,  3C034CB01 ,  3C034DD10 ,  3C058AA07 ,  3C058BA01 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA17