セラミックス基板及びセラミックス回路基板の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-007178
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209582
出願日： 1997年01月20日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】少ない電力量で製造でき、基板や導体層の抵抗値を容易に制御することが可能なセラミックス基板及びその回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】セラミックス成形体又は焼結体1上に、焼成した又は未焼成の導体層2を形成し、又は該導体層上に更に未焼成の絶縁体層を形成し、焼成した又は未焼成の導体層2に通電して抵抗発熱させ、セラミックス成形体、未焼成の導体層2、及び未焼成の絶縁体層を焼結又は焼成する。セラミックス焼結体1は、導電性材料粉末を混合したセラミックス成形体に通電して抵抗発熱させ、焼結して製造する。

請求項（抜粋）：

セラミックス基板上に導体層又は該導体層上に更に絶縁体層を具備してなるセラミックス回路基板の製造方法であって、セラミックス成形体上に未焼成の導体層又は該導体層上に更に未焼成の絶縁体層を形成するか、又はセラミックス焼結体上に焼成した導体層又は未焼成の導体層若しくはこれらの導体層上に更に未焼成の絶縁体層を形成した後、該焼成した又は未焼成の導体層に通電して抵抗発熱させることにより、前記セラミックス成形体、未焼成の導体層、及び未焼成の絶縁体層を焼結又は焼成することを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法。

IPC (2件)：

H05K 1/03 610 , H01L 23/15

FI (2件)：

H05K 1/03 610 D , H01L 23/14 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭64-055303
特開昭63-170901
特開昭64-055303

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