半導体素子の構造

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-157832
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005849
出願日： 1992年06月17日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】マルチフィンガータイプのゲート電極を有する電界効果型トランジスタにおいて、各フィンガー毎の電気信号の遅れを失くすこと、およびチップ自体が長細くなるのを防ぐことを目的とする。【構成】ゲートパッド3をチップの中央に配置し、このパッドよりゲートバスバーを介することなくゲートフィンガー1を取り出すことにより、各フィンガー毎の電気信号遅れを失くす。また、ゲートパッド3の両側にゲートのマルチフィンガーを配置することにより、チップ自体が細長くなることを防ぐ。【効果】上記の構成をとることにより、ゲートフィンガー毎の電気信号遅れのないトランジスタを有することができ、より高周波対応ができる。またチップ自体が細長くならないのでパッケージへの組立性の向上を図ることができる。

請求項（抜粋）：

マルチフィンガータイプのゲートを有する電界効果型トランジスタの構造であって、ゲートパッドをトランジスタチップの中央に配置し、そのゲートパッドから直接にマルチフィンガーを取り出す配置としたことを特徴とする半導体素子の構造。

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