特許
J-GLOBAL ID:200903087380311210

電気的プログラマブル・メモリ並びに、そのプログラミング方法および読み出し方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大貫 進介 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-509860
公開番号(公開出願番号):特表平11-512208
出願日: 1996年08月30日
公開日(公表日): 1999年10月19日
要約:
【要約】電気的プログラマブル・メモリは:ドレイン電極およびソース電極を有するフローティング・ゲートFETセル(10);前記ドレイン電極に、第1電圧(VLLPP)をプログラミング時間(TP)だけ印加する手段;前記ソース電極に、第2電圧(VML)を前記プログラミング時間だけ印加する手段であって、前記第2電圧は、前記フローティング・ゲート上で発生される電荷の量を判定し、かつ前記プログラミング時間に実質的に関係なく前記セルにプログラムされるマルチレベル値を判定するように、2レベル以上の間で可変である、手段によって構成される。セルにプログラムされたマルチレベル値は、反復的にあるいは動的に変化する電圧をソース電極上に乗せることによって検出され、セルにおける電流は、フローティング・ゲート上の電圧を判定するために検出される。
請求項(抜粋):
電気的プログラマブル・メモリであって: ドレイン電極と、 ソース電極と、 を有するフローティング・ゲートFETセル; 前記ドレイン電極およびソース電極のうちの一方に、第1電圧をプログラミング時間の間、印加する手段; 前記ドレイン電極およびソース電極のうちの他方に、第2電圧を前記プログラミング時間の間、印加する手段であって、前記第2電圧は、前記フローティング・ゲート上に発生される電荷の量を判定するために、2つ以上のレベル間で可変であり、それによって、前記プログラミング時間に実質的に関係なく前記セルにプログラムされるマルチレベル値を判定するようにする、ところの手段; によって構成されることを特徴とする電気的プログラマブル・メモリ。
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平2-040198
  • 特開昭59-042697
  • 特開昭59-098397

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