特許

J-GLOBAL ID：200903087383397999

フッ素含有エタン誘導体の製造法、ならびに該方法を実施するための触媒および調剤

発明者： ヨハネス アイヒャー ,  カール-ハインツ ファツニーフスキー ,  ヴェルナー ルードルフ ,  ハンス-ヴァルター シュヴィデルスキー
出願人/特許権者： ゾルファイ フルーオル ウント デリヴァーテ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-240260
公開番号（公開出願番号）：特開平5-238969
出願日： 1992年09月09日
公開日（公表日）： 1993年09月17日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 環境を侵害しないフッ素含有エタン誘導体を、技術的に簡易で、かつ高い変換率および高い選択性をもって製造する方法を提供する。【構成】 FkHmCl2-k-mC=CX1X2FkHnCl3-k-nC-CY1Y2Y3で示される、アルケンまたはハロゲン含有アルカンを出発化合物として、液体相中で0〜250°Cの温度でフッ化水素と反応させ、この場合この反応をタンタル-フルオルスルホン酸塩化合物および/またはニオブ-フルオルスルホン酸塩化合物を含有する触媒活性調剤を用いて促進させ、一般式:FkHnCl3-k-nC-CZ1Z2F[X1,X2,Y1,Y2,Z1,Z2はH,F,Cl,Br、Y3はCl,Br、Kは0〜2、mは0〜2、nは1〜3。]で示されるフッ素含有エタン誘導体を製造する。

請求項（抜粋）：

一般式(I):FkHnCl3-k-nC-CZ1Z2F (I)[式中、Z1およびZ2は同一かまたは異なっていてよく、かつ水素、フッ素、塩素または臭素を表わし、kは0、1または2を表わし、nは1、2または3を表わす]で示されるフッ素含有エタン誘導体を製造する方法において、アルケンまたはハロゲン含有アルカンを出発化合物として、液体相中で0〜250°Cの温度でフッ化水素と反応させ、この場合反応は、本質的に五ハロゲン化タンタルおよび/または五ハロゲン化ニオブ不含、有利に本質的に五塩化タンタルおよび/または五塩化ニオブおよび五臭化タンタルおよび/または五臭化ニオブ不含で、タンタル-フルオルスルホン酸塩化合物含有および/またはニオブ-フルオルスルホン酸塩化合物含有の触媒活性調剤によって促進され、フッ化水素は出発化合物に対して少なくとも等モル量で使用され、出発化合物対触媒活性化合物のモル比は約10:1〜1:100であり、但しa)アルケンとして一般式(II): FkHmCl2-k-mC=CX1X2 (II)[式中、X1およびX2は同一かまたは異なっていてよく、かつ水素、フッ素、塩素または臭素を表わし、kは上記の意味を表わし、およびmは0、1または2を表わす]で示される化合物を使用するか、またはb)ハロゲン含有アルカンとして、一般式(III): FkHnCl3-k-nC-CY1Y2Y3 (III)[式中、kおよびnは前記の意味を表わし、Y1、Y2は同一かまたは異なっていてよく、かつ水素、フッ素、塩素または臭素を表わし、Y3は塩素または臭素を表わす]で示される化合物を使用することを特徴とする、一般式(I)のフッ素含有エタン誘導体の製造法。

IPC (3件)：

C07C 19/08 ,  B01J 31/02 103 ,  C07C 17/20