特許

J-GLOBAL ID：200903087385592330

半導体装置の製造方法

発明者： 奥田 章二 ,  土岐 雅彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴイエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-161961
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013404
出願日： 1991年07月03日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 ECRーCVD装置を用いて形成する半導体基板上の層間絶縁膜に関し, 耐湿性の良好な層間絶縁膜の生成条件を得ることを目的とする。【構成】 半導体基板上の層間絶縁膜をECRーCVD装置を用いて形成するに際して,層間絶縁膜の耐湿性を半導体基板の近傍にカスプ面を形成して制御するように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の層間絶縁膜を,該半導体基板を挟んで対向してなる複数の磁界発生手段を有するECR-CVD装置にて形成するに際して,該層間絶縁膜の耐湿性を,該ECR-CVD装置内において磁束密度が零となるカスプ面が該半導体基板の近傍に形成されるようにすることで制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  G01N 24/14 ,  G01R 33/64 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-229875
  
• 特開平2-050429
  
• 特開昭62-205627