特許
J-GLOBAL ID：200903087390939616
窒化ガリウム系半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-333172
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173292
出願日： 1996年12月13日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 サファイア基板上に形成された窒化ガリウム系レーザに於いて、光がn型窒化ガリウムコンタクト層に大きく分布せず、活性層への光閉込係数が大きくなるような、光閉込構造を明らかにすることによって、発振しきい値電流が低く、かつレーザ光をレンズで集光した際にスポットサイズが小さいレーザを実現する。【解決手段】 活性領域より基板側にクラッド層として厚さ0.7μm以上のAl<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0.01≦x≦1)層、特に、厚さ0.7μm以上のAl<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0.01≦x<0.05)層、特に、厚さ1.0μm以上のAl<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0.01≦x<0.03)層を形成し、かつ前記クラッド層よりも基板側に厚さ2μm以下の窒化ガリウム層を形成する。特に、電極を前記クラッド層に接して形成する。特に、前記クラッド層より基板側の窒化ガリウム層の厚さを1.0μm以下とする。
請求項（抜粋）：
サファイア基板上にIn<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0<x<1)量子井戸層と前記量子井戸層よりも禁制帯エネルギーの大きいIn<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0≦x<1)障壁層とからなる単一または多重の量子井戸構造の活性層と、前記量子井戸層よりも禁制帯エネルギーの大きいIn<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0≦x<1)光ガイド層とを含む活性領域を有する窒化ガリウム系半導体レーザであって、前記活性領域よりも基板側に、前記量子井戸層および障壁層および光ガイド層のいずれよりも屈折率の小さなクラッド層として、厚さ0.7μm以上のAl<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0.01≦x<0.05)層が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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