太陽電池素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-100886
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310741
出願日： 1993年04月27日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】太陽電池素子のエネルギ変換効率を大幅に向上させる。【構成】 p型半導体Si基板3の表面に陽極化成処理を施し、この処理によって得られた処理層の表面にn+ 型半導体層2を形成し、p型半導体Si基板3の裏面側にp+ 型半導体層4を形成し、n+ 型半導体層2の上に受光面集電電極1を設け、p+ 型半導体層4の下に裏面集電電極5を設ける。処理層は、短波長領域の光を、光電変換に寄与する可視光に変換する。

請求項（抜粋）：

第1の波長領域の光を光電変換する半導体素子と、この半導体素子の受光面側に設けられ、前記第1の波長領域とは異なる第2の波長領域の光を前記第1の波長領域の光に変換する変換層と、を具備することを特徴とする太陽電池素子。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , H01L 31/052

FI (2件)：

H01L 31/04 A , H01L 31/04 G

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開昭57-152170
特開昭57-152170
特表昭63-503310

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