特許

J-GLOBAL ID：200903087391835547

発光ダイオード及びその製造方法

発明者： 石黒 茂之 ,  小泉 玄太
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-283827
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121803
出願日： 1997年10月16日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】 ボンダビリティが良好でしかも密着性に優れた電極を有する発光ダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第一電極11を形成した後、第二電極12用フォトパターン形成時に第一電極11よりも小さな電極径のパターンを形成することで、第二電極13がエピ層5と接触することがない。このためボンダビリティが良好でしかも密着性に優れた電極11,12を形成することができる。第二電極12用の密着材料12aを検討する場合、半導体表面だけでなく、ガラス面等他の表面との密着性まで考える必要が無くなり、第一電極11との密着性だけを考えればよいので、電極材料の選択の枠が広がる。第一電極11用の金属材料の蒸着膜の上に第二電極12用の密着材料12aの蒸着膜を形成し、エッチングによって同時に第一電極11及び第二電極12を形成しても第二電極12がエピ層5と接触することがない。

請求項（抜粋）：

p型半導体層及びn型半導体層のpn界面からなる発光層と、いずれかの半導体層上に形成されオーミック接触を確保するための第一電極と、該第一電極の上に形成されボンダビリティを向上させるための第二電極とを備えた発光ダイオードにおいて、上記第二電極が上記第一電極の表面からはみ出さないように形成されていることを特徴とする発光ダイオード。