特許

J-GLOBAL ID：200903087391910883

犠牲層エッチングの方法

発明者： 池田 恭一
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
代理人 (1件)： 小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-066065
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275401
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 構造物が基板に付着する恐れのない犠牲層エッチングの方法を提供する。【構成】 酸化シリコンを主成分とする犠牲層エッチングの方法において、前記犠牲層をふっか水素ガス及び微量の水蒸気を含有するガス中で気相エッチングするようにした事を特徴とする犠牲層エッチングの方法である。

請求項（抜粋）：

酸化シリコンを主成分とする犠牲層エッチングの方法において、前記犠牲層をふっか水素ガス及び微量の水蒸気を含有するガス中で気相エッチングするようにした事を特徴とする犠牲層エッチングの方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-076630
  
• 特開平4-065125
  
• 特開昭59-038621