特許
J-GLOBAL ID：200903087392756489
パターン形成方法および該パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-059399
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273586
出願日： 2003年03月06日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】サーマルフロープロセスを用いたレジストパターン形成工程における寸法精度を向上させるパターン形成方法を提供する。【解決手段】被処理基板上に、反射防止膜およびレジスト膜を形成し、該レジスト膜にパターン露光、ベークおよび現像処理を行うことによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程(S01〜S06)と、前記レジストパターン形成後に所定のモニタパターンの寸法を測定するモニタパターン測定工程(S07)と、前記モニタパターン測定より得られた情報を基にして、前記レジストパターンを加熱処理する条件を制御して前記レジストパターンが所望の寸法になるように変形させるレジストパターン変形工程(S08〜S13)とを有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被処理基板上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜にパターンを露光してベークおよび現像処理を行うことによりモニタパターンを含むレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターン内に配置された前記モニタパターンの寸法を測定して、前記被処理基板面内のパターン寸法の平均値を求めるモニタパターン測定工程と、前記平均値と所定の基準値とを比較して、前記レジストパターンが所望の寸法になるように加熱処理条件を制御して前記レジストパターンを変形させるレジストパターン変形工程と、
を有することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 570
, G03F7/40 511
2H096AA25
, 2H096BA01
, 2H096BA09
, 2H096HA01
, 2H096HA05
, 5F046AA28
, 5F046KA04
, 5F046KA10
