特許

J-GLOBAL ID：200903087393898236

半導体装置の製造方法及び製造装置

発明者： 西島 辰巳
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-272107
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100761
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】パーティクルを付着させることなく、迅速にウェハに付着した薬液を置換させリンス時間を短縮しリンス液使用量も削減させる。【解決手段】1はリンス液供給部、2はリンス槽、3はシリコンウェハ、4はウェハ保持ガイド、5はパンチング開口部、6は排液部、7は排液バルブである。リンス液の槽上部からの供給速度と槽下部からの排液速度を同程度にしてリンス液中のウェハが液面から露出しないようにし、かつリンス液を槽内で滞留・対流することなく流すことによって、パーティクルを新たに付着させることなくウェハに付着した薬液を迅速に置換させリンスすることができる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェットプロセスで薬液が付着したシリコンウェハをリンス液でリンスする工程において、ウェハを液面上に露出させることなくリンス槽内に垂直に設置したウェハに対し上方より下方にリンス液の流れがあることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 642 ,  B08B 3/08

FI (2件)：

H01L 21/304 642 F ,  B08B 3/08 Z

Fターム (9件)：

3B201AA03 ,  3B201AB02 ,  3B201AB45 ,  3B201BB03 ,  3B201BB87 ,  3B201BB92 ,  3B201BB93 ,  3B201CB11 ,  3B201CC01