特許

J-GLOBAL ID：200903087394520172

シリコンウエーハの熱処理方法

発明者： 速水 善範 ,  牛尾 聡 ,  竹中 卓夫
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： ▲高▼野 俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-276778
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129310
出願日： 1991年09月28日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 シリコンウェーハ裏面に位置するポリシリコン膜(PBS)にゲッタリングされた不純物がその後の加熱処理などによっても再放出されることがない安定したゲッタリング特性を与えるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。【構成】 裏面にポリシリコン膜(PBS)を有するシリコンウェーハにおいて、熱処理を行なった後の冷却速度を0.7°C/sec以下とするシリコンウェーハの熱処理方法。

請求項（抜粋）：

裏面にポリシリコン膜を有するシリコンウェーハにおいて、熱処理を行なった後の冷却速度を0.7°C/sec以下とするシリコンウェーハの熱処理方法。