特許

J-GLOBAL ID：200903087396089916

半導体装置

発明者： 谷口 敏光
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-301283
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135585
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】 異方性エッチングによるコンタクト開口の形成に伴う、半導体基板上に生じる結晶欠陥を感度よく検出できる評価用デバイス(TEGパターン)を提供する。【解決手段】 一導電型の半導体基板11の表面に形成された絶縁膜14に異方性エッチングにより形成されたコンタクト開口17と、異方性エッチングにより生じた半導体基板11の結晶欠陥層16の深さ内に形成された浅い反対導電型の低濃度拡散層12と、該低濃度拡散層12と半導体基板11とで形成されるPN接合に逆バイアス電圧を印加する電極15A,15Bとを備え、逆バイアス電圧のリーク電流により結晶欠陥層を評価可能とした。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板の表面に形成された絶縁膜に、異方性エッチングにより形成されたコンタクト開口と、前記異方性エッチングにより生じた半導体基板の結晶欠陥層の深さ内に形成された浅い反対導電型の低濃度拡散層と、該低濃度拡散層と前記半導体基板とで形成されるPN接合に逆バイアス電圧を印加する電極とを備え、前記逆バイアス電圧のリーク電流により前記結晶欠陥層を評価可能としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/66 L ,  H01L 21/302 A