負帯電用電子写真感光体

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-301934
公開番号（公開出願番号）：特開2003-107768
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月09日
要約：

【要約】【課題】電気的特性、耐光疲労、繰返し使用時の劣化等に安定して優れ、良好な画像品質が得られる負帯電用電子写真感光体を提供する。【解決手段】支持体上にSi原子を母材とする非晶質材料の光導電層、Si原子とC原子を母材とし13族元素を含む非晶質材料の上部阻止層、Si原子とC原子を母材とする非晶質材料及び/又はC原子を母材とする非晶質材料の表面層がこの順に積層された負帯電用電子写真感光体において、、上部阻止層で13族原子が100〜30000原子ppmであり、光導電層内、上部阻止層内で光学的バンドギャップ(Eg)が最大となる位置でのEg及び屈折率を夫々Eg1及びn1、Eg2及びn2、感光体最表面でのこれらをEg3及びn3と表すとき、2.0eV≦Eg2≦2.3eV、2.4≦n2≦3.3、Eg1≦Eg3≦Eg2、n3<n2<n1である。

請求項（抜粋）：

支持体上に、少なくとも、シリコン原子を母材とする非晶質材料からなる光導電層、シリコン原子と炭素原子を母材とし周期律表第13族元素を含有する非晶質材料からなる上部阻止層、ならびに、シリコン原子と炭素原子を母材とする非晶質材料及び/又は炭素原子を母材とする非晶質材料からなる表面層がこの順に積層されてなる負帯電用電子写真感光体において、、該上部阻止層においては、シリコン原子と炭素原子の和に対する周期律表第13族に属する原子の含有量が100原子ppm以上30000原子ppm以下であり、かつ、該光導電層内で光学的バンドギャップが最大となる位置での光学的バンドギャップおよび屈折率をそれぞれEg1およびn1、該上部阻止層内で光学的バンドギャップが最大となる位置での光学的バンドギャップおよび屈折率をそれぞれEg2およびn2、感光体最表面での光学的バンドギャップおよび屈折率をそれぞれEg3およびn3と表すとき、2.0eV≦Eg2≦2.3eV、2.4≦n2≦3.3、Eg1≦Eg3≦Eg2、およびn3<n2<n1の関係が成り立つことを特徴とする負帯電用電子写真感光体。

IPC (5件)：

G03G 5/08 316 , G03G 5/08 303 , G03G 5/08 308 , G03G 5/08 313 , G03G 5/043

FI (5件)：

G03G 5/08 316 , G03G 5/08 303 , G03G 5/08 308 , G03G 5/08 313 , G03G 5/043

Fターム (10件)：

2H068DA05 , 2H068DA12 , 2H068DA17 , 2H068DA25 , 2H068DA28 , 2H068DA34 , 2H068DA35 , 2H068DA37 , 2H068FA16 , 2H068FC03

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