特許

J-GLOBAL ID：200903087398427916

半導体素子基板およびその製造法、該基板を用いた半導体装置

発明者： 國米 和夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 豊田 善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-129257
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293876
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】 TFTを用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、画素電極の表面均一化、高精細化、および半導体層のプラズマダメージの回復を図る。【解決手段】 画素電極の製造工程において、まず非晶質導電膜を形成し、熱処理によって該非晶質導電膜を結晶化して透明化すると同時に、該熱処理によって水素を含む絶縁膜より水素を半導体層へ拡散して半導体層の高性能化を図るとともに、該半導体層のプラズマダメージを回復する。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも半導体層と、水素を含む絶縁膜と、非晶質導電膜を再結晶化してなる透明導電膜とを有することを特徴とする半導体素子基板。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (5件)：

H01L 29/78 627 E ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 627 G