特許

J-GLOBAL ID：200903087399170927

酸化物超電導体膜の製造方法

発明者： 長谷 隆司 ,  喜多 隆介 ,  佐々木 正人 ,  森下 忠隆
出願人/特許権者： 財団法人国際超電導産業技術研究センター ,  株式会社神戸製鋼所 ,  シヤープ株式会社 ,  電源開発株式会社
代理人 (1件)： 植木 久一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-089547
公開番号（公開出願番号）：特開平5-097588
出願日： 1991年03月27日
公開日（公表日）： 1993年04月20日
要約：

【要約】【目的】 成膜速度や膜組成を容易に制御することができ、安全且つ経済的にしかも広い領域に均質に高品質な酸化物超電導体膜を製造する方法を提供する。【構成】 R(但し、RはYおよびランタニド系列希土類元素よりなる群から選択される1種以上の元素),Ba,Cuの各元素を、真空蒸着法によって金属状態で基板上に蒸着してアモルファス金属からなる前駆体を形成し、該前駆体を大気中に取り出さずに熱処理して酸化,結晶化させることによって酸化物超電導体膜を製造する。

請求項（抜粋）：

R(但し、RはYおよびランタニド系列希土類元素よりなる群から選択される1種以上の元素),Ba,Cuの各元素を、高真空下の真空蒸着法によって金属状態で基板上に蒸着して金属膜を形成し、該金属膜を大気中に取り出さずに熱処理して酸化,結晶化させることによって酸化物超電導体膜を製造することを特徴とする酸化物超電導体膜の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 29/22 501 ,  C01G 1/00 ZAA ,  C23C 14/08 ZAA ,  C23C 14/58 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平2-258526
  
• 特開昭64-067825
  
• 特開平1-203218
  
• 特開平1-161628
  
• 特開平1-152772
  
• 特開昭63-274620