特許

J-GLOBAL ID：200903087399182933

半導体デバイスの製造方法

発明者： 石川 誠二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-287680
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106388
出願日： 1990年11月28日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、どんな成分の異物がウェハ上でどのように分布しているか明らかにするものである。【解決手段】本発明は、上記目的を達成するために、ウエハを処理する工程と、処理された該ウェハを検査する工程と、該検査して得た検査結果に含まれる座標データを用いて該ウェハを分析する工程と、該分析して得た分析結果の情報を前記検査結果に含まれる座標データに対応させて前記ウェハを識別する情報とともに表示する工程とを有するものである。

請求項（抜粋）：

ウエハを処理する工程と、該ウェハの外観上の欠陥を検出する工程と、該検出して得た外観上の欠陥の前記ウェハ上での位置情報を用いて前記外観上の欠陥の詳細な情報を得る工程と、該外観上の欠陥の詳細な情報を前記検出して得た外観上の欠陥の前記ウェハ上での位置情報に対応させて前記ウェハを識別する情報とともに表示する工程とを有する電子デバイスの製造方法であって、前記検出した外観上の欠陥をSEMで分析することにより前記詳細な情報を得、前記外観上の欠陥をSEMで分析して得た情報を該外観上の欠陥の位置の情報と共に、記号で表示することを特徴とする電子デバイスの製造方法。

FI (3件)：

H01L 21/66 A ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 Z

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭62-011148
  
• 特開昭60-218845
  

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-011148
  
• 特開昭60-218845