特許

J-GLOBAL ID：200903087401174005

半導体ウエハのパターン形状評価方法及び装置

発明者： 松岡 良一
出願人/特許権者： セイコーインスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 坂上 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-214847
公開番号（公開出願番号）：特開2002-031525
出願日： 2000年07月14日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】 ウエハ上に形成されたパターンの任意の箇所の仕上がり具合を2次元的に評価すること。【解決手段】 評価すべき対象パターンのSEM画像データDBLに基づき対象パターンの線分抽出を行ってSEM線分データDCを得、対象パターンに対応するCAD線分図形データDDとSEM線分データDCとに基づいて重ねずれ距離を求め対象パターンの2次元での評価を行い、これにより得られた評価値データDEをグラフィック表示するようにした。

請求項（抜粋）：

CADデータに従って半導体ウエハ上に形成されたパターンの形状を評価するための装置であって、評価対象とすべき対象パターンをCADデータ上で指定するための指定手段と、該指定手段に応答し前記対象パターンのSEM画像データ及び前記対象パターンに対応するCAD線分データを得るための手段と、前記SEM画像データに基づき前記対象パターンの線分抽出を行ってSEM線分データを得る手段と、前記CAD線分データと前記SEM線分データとに基づいて前記対象パターンの2次元評価処理を行う評価処理手段と、該評価処理手段からの評価結果を表示する表示手段とを備えたことを特徴とする半導体ウエハのパターン形状評価方法及び装置。

IPC (4件)：

G01B 21/20 ,  G01B 15/04 ,  G01N 23/225 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

G01B 21/20 F ,  G01B 15/04 ,  G01N 23/225 ,  H01L 21/66 J

Fターム (49件)：

2F067AA15 ,  2F067AA25 ,  2F067AA26 ,  2F067AA54 ,  2F067AA57 ,  2F067BB01 ,  2F067BB04 ,  2F067CC17 ,  2F067GG08 ,  2F067HH06 ,  2F067JJ05 ,  2F067LL00 ,  2F067RR24 ,  2F067RR30 ,  2F069AA17 ,  2F069AA44 ,  2F069AA49 ,  2F069AA64 ,  2F069AA96 ,  2F069BB15 ,  2F069GG04 ,  2F069GG07 ,  2F069GG72 ,  2F069HH30 ,  2F069NN00 ,  2G001AA03 ,  2G001BA07 ,  2G001CA03 ,  2G001FA01 ,  2G001FA06 ,  2G001GA01 ,  2G001GA06 ,  2G001HA07 ,  2G001HA13 ,  2G001JA11 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA39 ,  4M106DA15 ,  4M106DB05 ,  4M106DB21 ,  4M106DJ03 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21 ,  4M106DJ23