特許
J-GLOBAL ID：200903087402336432
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-133327
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335569
出願日： 1994年06月15日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 チャンバー内部で還流が生じ難く、高精度なプラズマエッチングを行うことができ、しかも排気用ポンプの台数を増大させることなく排気効率を高め、安価で小型のプラズマエッチング装置を提供すること。【構成】 プラズマエッチング処理される半導体ウェーハ24が設置されるサセプター26と、サセプター26が内部に設置されるチャンバー20と、チャンバー20内にソースガスを導入するソースガス導入ノズル36と、チャンバー20内に導入されたソースガスをプラズマ状態にするプラズマ発生コイル28と、サセプター26の下部に設けられ、半導体ウェーハ24の表面に向けて流れた後のガスを排気する主排気ポート38と、サセプター26の上部に位置するチャンバー20の外周に設けられ、半導体ウェーハ24の表面に向けて流れた後のガスを排気する補助排気ポート40とを有するプラズマエッチング装置。
請求項（抜粋）：
プラズマ処理される被処理物が設置されるサセプターと、サセプターが内部に設置されるチャンバーと、上記チャンバー内にソースガスを導入するソースガス導入手段と、上記チャンバー内に導入されたソースガスをプラズマ状態にするプラズマ発生手段と、上記サセプターの下部に設けられ、被処理物の表面に向けて流れた後のガスを排気する主排気ポートと、上記サセプターの上部に位置するチャンバーの外周に設けられ、被処理物の表面に向けて流れた後のガスを排気する補助排気ポートとを有するプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/3065
