特許

J-GLOBAL ID：200903087407493773

薄膜の製造方法および製造装置

発明者： 石田 達朗 ,  杉田 龍二 ,  東間 清和
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-028169
公開番号（公開出願番号）：特開平8-225921
出願日： 1995年02月16日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】 生産性に優れた薄膜形成法である真空蒸着法において、添加元素による特性改善、および多層膜の作製を容易ならしめる。【構成】 真空容器内において、蒸発源を加熱して発生させた蒸発原子もしくは分子を基体3上に堆積させて薄膜を形成する過程において、気化もしくは液化して前記真空容器内に導入された有機金属化合物、あるいは金属もしくは硅素のアルコラート化合物、あるいは金属キレート化合物、あるいは金属ハロゲン化合物より選ばれる少なくとも一種類の錯体材料14を、蒸発源10と基体の間において蒸発源より発生する蒸気12内に向けて噴射もしくは噴霧して蒸気のエネルギーもしくは蒸発源からの輻射熱によって分解し、錯体材料に含有される元素を蒸発源から発生する蒸発原子もしくは分子とともに基体に堆積させる。

請求項（抜粋）：

真空容器内において、蒸発源を加熱して発生させた蒸発原子もしくは分子を基体上に堆積させて薄膜を形成する過程において、気化もしくは液化して前記真空容器内に導入された有機金属化合物、あるいは金属もしくは硅素のアルコラート化合物、あるいは金属キレート化合物、あるいは金属ハロゲン化合物より選ばれる少なくとも一種類の錯体材料を、前記蒸発源と前記基体の間において前記蒸発源より発生する蒸気内に向けて噴射もしくは噴霧して前記蒸気のエネルギーもしくは前記蒸発源からの輻射熱によって分解し、前記錯体材料に含有される元素を前記蒸発源から発生する蒸発原子もしくは分子とともに基体に堆積させることを特徴とする薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

C23C 14/06 ,  C23C 14/20 ,  C23C 14/22 ,  C23C 14/24 ,  G11B 5/85

FI (5件)：

C23C 14/06 T ,  C23C 14/20 A ,  C23C 14/22 E ,  C23C 14/24 M ,  G11B 5/85 A