特許
J-GLOBAL ID：200903087415630690
半導体装置の実装方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-265090
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109820
出願日： 1991年10月14日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】 フラックスを用いることなく接合強度を確保しながらフリップチップボンディングできる半導体装置の実装方法を提供するにある。【構成】 ICチップ2にはアルミ電極3が形成され、そのアルミ電極3には銅バンプ6が配置され、銅バンプ6の表面には共晶ハンダ7(Pb-63Sn)が配置されている。又、ガラス基板1には導電パターン10が形成されている。そして、ガラス基板1上にICチップ2を配置し、ハンダ7の融点の183°Cより低い120〜170°CでICチップ2とガラス基板1との間を加圧してハンダ7を塑性変形させながらハンダ7と導電パターン10とを接合する。
請求項（抜粋）：
半導体チップに形成したチップ側接続端子と、基板に形成した基板側接続端子とを電気的に接続するに際し、前記チップ側接続端子と基板側接続端子との間に、少なくともスズを含む低融点金属を介在させ、この低融点金属の融点よりも低い温度で、前記半導体チップと基板との間を加圧して低融点金属を塑性変形させながら接合するようにしたことを特徴とする半導体装置の実装方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/321
H01L 21/92 C
, H01L 21/92 B
