特許
J-GLOBAL ID：200903087417478950
マイクロ波半導体回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-190318
公開番号（公開出願番号）：特開平7-046001
出願日： 1993年07月30日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】 反射回路を構成するインピーダンス可変回路のリアクタンスを高低切り替えたときの損失変動を小さくした半導体移相器、半導体変調器等のマイクロ波半導体回路を得ることを目的とする。【構成】 ハイブッリッド回路1の二つの分配端子2,3にそれぞれ設ける反射回路を構成するインピーダンス可変回路は、ドレイン・ソース間に共振用インダクタ19aを設けた電界効果トランジスタ13a,14aと、上記のソースに一端を接続し他端を接地する抵抗とキャパシタの直列回路と、からなる2つの回路を並列接続して構成し、上記の並列接続の一方の回路の抵抗15の値を他方の回路の抵抗17の値より小さな値とし、且つ上記と同じ一方の回路のキャパシタ16aの値を他方の回路のキャパシタ18aより大きな値としたものである。
請求項（抜粋）：
ハイブッリッド回路の所定の二つの分配端子にそれぞれ設ける反射回路を半導体素子を用いたインピーダンス可変回路で構成し、上記分配端子から当該インピーダンス可変回路側を見て、低いリアクタンスを呈するときには上記インピーダンス可変回路は低い抵抗分を有し、上記のリアクタンスと比較して高いリアクタンスを呈するときには上記インピーダンス可変回路は上記の抵抗分と比較して高い抵抗分を有することを特徴とするマイクロ波半導体回路。
IPC (6件)：
H01P 1/185
, H01C 3/10
, H03H 7/20
, H03H 11/20
, H03H 11/46
, H04L 27/36
