固体撮像素子におけるバイアス変動抑制回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤島洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-301883
公開番号（公開出願番号）：特開平10-145684
出願日： 1996年11月13日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】固体撮像素子の外部部品点数および端子数の増加や、大型化を招くことなく、固体撮像素子に内蔵されたバイアス発生回路によって発生されたバイアスにおける、外部印加パルスに起因する変動を抑制する。【解決手段】バイアス回路は、バイアス発生回路21と、バイアス発生回路21の最終段に設けられたソースフォロワ22と、ソースフォロワ22に接続されたエミッタフォロワ23とを備え、シャッタパルス入力端子35に印加されたシャッタパルスをバイアス電圧値Vbiasにクランプして、固体撮像素子の基板に印加する。バイアス変動抑制回路40は、シャッタパルスを、分割抵抗41,42によって振幅を調整し、MOSトランジスタ44によって反転し、ソースフォロワ22より出力されるバイアスに負帰還して、シャッタパルスに起因するバイアスの変動を抑制する。

請求項（抜粋）：

所定のバイアスを発生させるバイアス発生回路を備えた固体撮像素子に内蔵され、固体撮像素子に外部より印加される外部印加パルスに応じて、前記バイアス発生回路によって発生されたバイアスを調整することによって、前記バイアスの変動を抑制するバイアス調整回路を備えたことを特徴とする固体撮像素子におけるバイアス変動抑制回路。

引用特許：

審査官引用 (2件)

CCD撮像素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-039658 出願人：ソニー株式会社
CCD型固体撮像素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-259099 出願人：株式会社日立製作所

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