受光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-166284
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153605
出願日： 1996年06月26日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】ホログラム素子を用いた光ピックアップ光学系に使用される、分割された複数の光検出部を有する分割フォトダイオード素子において、フォーカス誤差検出用の光検出部の分離部を主ビームの反射光が照射した状態で、遮断周波数が減少して応答速度が劣化する。【解決手段】各光検出部の分離部であるP型埋込拡散層2の拡散深さXjに対して、光検出部に印加される逆バイアスで広がる空乏層21の深さXdが等しいか或いはより深くなるように、P型半導体基板1の比抵抗を設定する。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板と、該第1導電型半導体基板の表面の所定の領域の上に形成された第1の第2導電型半導体層と、該第1の第2導電型半導体層の表面から該第1導電型基板の表面に達するように形成され、該第1の第2導電型半導体層を複数の第2導電型半導体領域に分割する少なくとも一つの第1導電型半導体領域と、を備える受光素子であって、印加される逆バイアス電圧によって該第1導電型半導体基板に形成される空乏層の深さXdと、該第1導電型半導体層の該第1導電型半導体基板の中への拡散深さXjと、の間でXd≧Xjという条件が満足されるように、該第1導電型半導体基板の比抵抗が所定の範囲内に設定されている受光素子。

IPC (3件)：

H01L 27/146 , H01L 27/14 , H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 27/14 A , H01L 27/14 Z , H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-154063
特開平4-271172
特開昭63-055982

全件表示

前のページに戻る