特許

J-GLOBAL ID：200903087424850040

半導体記憶装置

発明者： 飯島 聡章
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-011108
公開番号（公開出願番号）：特開2001-202772
出願日： 2000年01月20日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】静電破壊保護回路の保護能力向上を図り、不要な貫通電流の発生を抑止する。【解決手段】 パッド1と内部回路3との間に、そのゲート電極が接地電圧Vssに接続され、ドレイン電極が電源電圧Vccに接続された第1のNチャネル型MOSトランジスタ4と、前記第1のNチャネル型MOSトランジスタ4のソース電極がそのドレイン電極に接続され、ゲート電極がソース電極と共に、前記パッド1と内部回路3とをつなぐ信号線S1に接続された第2のNチャネル型MOSトランジスタ5とから成る静電破壊保護回路を具備したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

パッドと内部回路との間に設置された静電破壊保護回路を有する半導体記憶装置において、前記静電破壊保護回路が、そのゲート電極が接地され、ドレイン電極が電源電圧に接続された第1のMOSトランジスタと、前記第1のMOSトランジスタのソース電極がそのドレイン電極に接続され、ゲート電極がソース電極と共に、前記パッドと内部回路とをつなぐ信号線に接続された第2のMOSトランジスタとから構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 11/401 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

G11C 11/34 371 K ,  H01L 27/04 H

Fターム (8件)：

5B024AA01 ,  5B024AA03 ,  5B024BA29 ,  5B024CA09 ,  5F038BH02 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038EZ20